存储器和微控制器是半导体产业基石。从产值角度看,存储器和微处理器是半导体产业的两大件,分别占半导体产品产值的22%和19%,发展半导体产业,存储器和微处理器是绕不开的课题。本篇报告通过50+页的篇幅,详细论证了存储器(Memory)行业的发展历史、周期波动性等特点,以及DRAM、Nand Flash、NorFlash 等子行业的应用领域、竞争格局、市场规模、未来发展趋势等,最后认为中国企业可以借助Nand Flash 由平面向3D 技术转换过程中实现弯道超车。

存储器市场波动性较大。作为电子产业的大宗商品,存储器市场周期波动性众所周知,其波动性主要是由根植于存储器本身的特性决定的:1)存储器产品需求量大,是半导体产业中的关键部件,市场需求可以被迅速推动,这使得大公司总有扩大产能冲动;2)存储器产品标准化程度高,更新换代快,用户粘性弱,容易被取代。

存储器产业未来周期特性难改:宏观经济的波动性影响对存储器的需求,历史上存储器价格波动基本都跟宏观经济波动正相关,只要宏观经济周期不改,存储器产业周期特性难改;另一方面,从供应角度看, 通过研究存储器产业以及相关企业的发展历史,也可以发现存储器行业的长期波动性并没有改变,究其原因,在于各大存储器厂商均有扩张产能基因,我们整理发现,三星、SK 海力士、美光等企业大肆扩张的脚步并未停止。

平面微缩难度加大致技术提升成本太高,3D 转换机会来临。无论对于DRAM 还是Flash,随着平面工艺尺寸缩减难度越来越大,在16nm 左右,采用平面缩减工艺难度和成本已经超过3D TSV 技术。当前技术正处在该转换节点上。如三星已经量产3D TSV DRAM,美光也提出Hybrid Memory Cube DRAM 以及vertical-Nand,其实质也是采用3D TSV 堆叠技术。

中国可借助3D Nand Flash 技术转换机会实现弯道超车。从产值角度看,存储器占半导体产品产值的22%,在半导体产品中算“大件”。发展存储器产业,对国家整个半导体产业的进步拉动效应明显。2D Nand Flash 的进步主要是通过微缩技术实现的,而3D Nand Flash 的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺,技术工艺差别较大,而且美光、SK 海力士等巨头在3D Nand Flash 布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作,快速切入该领域,在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。