事实上,由于结构简单等因素,使得每一代新制程中的研发人员往往都会使用 SRAM 芯片进行测试。结果就是谁造出的 SRAM 芯片核心面积更小,就意味着制程技术越先进。此前的纪录,是三星在 2018 年 2 月份的国际会议上宣布,期刊发出的 6T 256Mb SRAM 芯片,面积只有 0.026mm2。不过,爱美科上周联合 Unisantis 公司开发的新一代 6T 256Mb SRAM 芯片打破了这个纪录,核心面积只有 0.0184 mm2 到 0.0205mm2 ,相比三星的 SRAM 微缩了 24%。
爱美科表示,面积能大幅缩小的原因,就在于使用了新的晶体管结构。Unisantis 与爱美科使用的是 Unisantis 所开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor,SGT)结构,最小栅极距只有 50nm。这样的水平,与标准型 GAA 晶体管相比,垂直型 SGT 单元 GAA 晶体管面积能够缩小 20% 到 30%,同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
目前爱美科正与 Unisantis 公司一起定制新制程的关键制程流程及步骤,预计透过一种新的制程协同优化 DTCO 技术,研发人员就能使用 50nm 间距制造出 0.0205 mm2 的 SRAM 单元,而未来该制程也能够适用 5 纳米制程的节点。此外,该制程技术还能使用 EUV 极紫外光刻技术,减少制程步骤,这使得设计成本与传统 FinFET 制程相当。