据台湾媒体报道,三星电子已经成功“挤掉”台积电,抢到了高通首批FinFET(鳍式场效晶体管)芯片的订单。
据悉,三星将会使用14纳米制程工艺生产FinFET芯片,而台积电则使用16纳米。虽然16纳米晶粒的尺寸比14纳米要大,不过台积电称依然可以通过将芯片生产良品率最大化的方式提高产能,从而帮助客户降低生产成本。
在28纳米或更为成熟的工艺上,高通选择了与多家代工厂商进行合作,包括台积电、三星、Globalfoundries、联电和中芯国际。而在FinFET产品的开发过程中,高通也单独选择了三星。分析人士认为,高通此举有一定的风险性,FPGA芯片厂商Altera就曾让英特尔独立开发14纳米FinFET产品,但之后因后者的良品率较低,被迫将订单转交给了台积电。
另据消息称,高通的竞争对手之一联发科一直保持着与台积电的合作关系,业务涉及28纳米和20纳米工艺。未来,联发科将继续使用台积电的16纳米FinFET Plus工艺开发芯片。