不久前ARM才宣布与台积电完成首款以16nm FinFET制程技术优化64位元ARMv8处理器系列产品的消息，并且最快在今年内就成正式量产，目前台积电方面也透露将在2015年左右完成以EUV (波长较短的紫外线)为基础原理的10nm制成技术，估计将以此加速超越过去摩尔定律所提出硬件进步速率。

根据EE Times网站报导指出，在目前与三星等厂商竞争下，台积电除了稍早与ARM宣布将完成以16nm FinFET制程技术优化64位元ARMv8处理器系列产品，并且将在2013年底前开始量产的消息外，目前也透露将在2015年间左右跨入10nm制程技术，同时也说明将强化既有3D芯片堆叠制作技术，并且扩大现有28nm制程产量产能。

台积电创办人暨执行长张忠谋于近期访谈时表示，估计在7-8年间将会加速从10nm制程跨入小至7nm制程技术的速度，藉此将再让摩尔定律重新被定义。

另一方面，先前根据Intel所透露旗下产品制程发展蓝图，其中也透露将在2015年之后跨入10nm、7nm或5nm制程里程，在2013年间的产品制程将以14nm为主。