目前，快速发展的光通信市场需要大量的10Gb/s APD光器件，10Gb/s APD主要应用在距离大于40 km的光传输系统以及正在快速增长的10G E-PON中。

鉴于复杂的APD制作技术，能提供便于商用的2.5Gb/s APD的公司都不多，主流的国外供应商只有Sumitomo、D-tech、Cyoptics和Emcore。而国内只有光迅旗下的WTD和成都44所能大规模提供，其中WTD的2.5Gb/s APD年产600万只。

对于10Gb/s APD，在结构设计和制作技术提出了更高的要求，国外只有D-tech，Cyoptics，Emcore，Mitsubish能提供10Gb/s APD，10Gb/s APD的商用市场为国外完全垄断，10Gb/s APD芯片价格昂贵。

光迅自2006年开始10Gb/s APD的研究，承担国家“863”课题“10Gb/s雪崩光电二极管及组件研究”。目前，从光迅芯片部岳爱文博士处获得可喜信息，公司在已经在10Gb/s APD的结构设计和制作技术上取得关键性突破，已经开发出完全满足商用技术指标要求的10Gb/s APD芯片。

光迅APD芯片为高可靠性的平面结构，具有暗电流小于10nA、低电容特点，APD芯片采用集成的微透镜，容易耦合。APD的增益带宽积高于90GHz。封装后的APD ROSA在误码率1E-12下，灵敏度优于-26dBm，APD BOSA在误码率1E-3下，灵敏度优于-31dBm。

目前，光迅的APD芯片正在进行可靠性试验中，并将计划于2013年Q3进入大批量生产阶段。光迅10Gb/s APD芯片的量产低将极大提高公司光模块特别是10G-EPON产品的竞争力。