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全新RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据

责任编辑:杨传波 |来源:企业网D1Net  2013-08-06 10:32:28 本文摘自:元器件交易网

阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器,相比现在的闪存,它的速度快上许多,读写时还非常节能。今天,加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术,可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据,这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高,同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍,读写时的功率仅为1/20。

取决于不同的设备,RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年,使用寿命也10倍于NAND,可以说是一种完美的高速存储器。Crossbar还表示,这种存储器还可以以阵列的方式运行,他们计划将这项技术授权给其它公司使用,目前30余项专利已经被授予。

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据0

 

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据1

 

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据2

 

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据3

关键字:RRAM单芯片

本文摘自:元器件交易网

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全新RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据

责任编辑:杨传波 |来源:企业网D1Net  2013-08-06 10:32:28 本文摘自:元器件交易网

阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器,相比现在的闪存,它的速度快上许多,读写时还非常节能。今天,加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术,可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据,这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高,同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍,读写时的功率仅为1/20。

取决于不同的设备,RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年,使用寿命也10倍于NAND,可以说是一种完美的高速存储器。Crossbar还表示,这种存储器还可以以阵列的方式运行,他们计划将这项技术授权给其它公司使用,目前30余项专利已经被授予。

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