在市场再度传言IBM将10亿美元出售其芯片部门给GlobalFoundries的同时，该公司正在加速量产新一代绝缘上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)与硅锗(

silicongermanium，SiGe)制程，以扩大在射频(RF)芯片代工市场的占有率；该类芯片传统上大多是采用更稀有的砷化镓(galliumarsenide，GaAs)制程。

IBM的两种新制程都在该公司只提供晶圆代工的美国佛州Burlington晶圆厂运作，该座8吋晶圆厂以往曾生产IBM高阶服务器处理器以及相关芯片，不过那些芯片的生产已经移往位于纽约州EastFishkill的12吋晶圆厂。Burlington晶圆厂为广泛的客户提供CMOS、SOI与SiGe等多种制程，但现在打算将制程种类减少，集中资源在生产RF芯片的SOI制程等技术上；该种制程目前也是IBM晶圆代工业务中成长最快的。

不过IBM并未透露该晶圆厂的产能规模以及营收，仅表示该公司自四年前开始生产SOI制程RF芯片迄今，该类芯片已经累计出货达70亿颗──光是去年出货量就达30亿颗；那些芯片主要是供应手机与无线通信基站应用。

接受EETimes美国版编辑访问的IBM代表都不愿针对芯片部门出售传言发表意见，这些专家都是该公司模拟制造部门的资深人才，只谈技术。IBM专门生产RF芯片的最新SOI制程代号为7SW，以制造RF交换器为主，还有一些功率放大器；无论是蜂窝通信或是Wi-Fi设备，为因应对多重频段的支持，对这类组件需求越来越高。

在IBM任职25年、五年前开始负责RFSOI业务的RF前端技术开发经理MarkJaffe表示：“较新一代的智能型手机内含8~12颗RF交换器，RF前端的构造非常复杂，主要原因是我们现在有采用载波聚合(carrieraggregation)的AdvancedLTE技术，支持很多载波路径以及频段。”

7SW是一种1.3微米/1.8微米混合制程，号称能提升RF交换器性能30%，同时将芯片面积尺寸缩小30%。“我们重新打造了交换器晶体管，将焦点集中在决定漏电的导通电阻(resistance-on)与关断电容(capacitance-off)；”Jaffe表示：“其次我们提升了交换器晶体管的击穿电压(breakdownvoltage)，通常你得堆栈晶体管以承受高电压需求，但现在你可以建立一个短一点的堆栈以缩减芯片面积。”

此外IBM也改善了晶体管的线性度，将三次谐波失真(thethirdharmonicdistortion)降低了8dB。事实上7SW制程幕后的核心团队大概只有10个人、工作了18个月；该团队约是从2006年开始研发RF芯片专用的SOI制程。而为了建立第二供应来源，IBM已将位于法国的一座旧晶圆厂独立为新公司Altis。

在IBM任职14年、负责向无线领域客户营销晶圆代工业务的SaraMellinger表示，过去包括Skyworks等市场领导级RF芯片供货商，是采用砷化镓制程制造RF前端芯片，但现在该类芯片已经大幅转向采用SiGe或SOI制程。

目前在SOI制程RF芯片代工领域，TowerJazz是IBM最大的竞争对手，此外CMOS制程晶圆代工大厂GlobalFoundries与台积电(TSMC)也准备切入SOI制程抢相关商机。目前IBM的7SW制程已经在质量验证阶段，并为关键客户提供芯片样品，预计2015年正式量产。

至于IBM代号9HP的SiGeBiCMOS制程技术则是90纳米节点，能支持360GHz最高振荡频率(Fmax)、300+GHz截止频率(Ft)，因应60~80GHz运作频率的各种芯片所需阈值。而采用90纳米制程节点，则能实现接近SOI、媲美砷化镓制程之更紧密、低功耗的设计，可生产包括60GHz的Wi-Fi芯片、蜂巢式骨干网络芯片组、高阶测试设备用芯片、光学收发器，以及规模虽小、成长快速的车用雷达芯片，还有航天军事应用雷达芯片。

“这将会是被大幅应用的技术；”自1980年代就投入开发SiGe技术(当时应用于生产IBM服务器处理器芯片)的IBM院士DavidHarame表示，目前大多数SiGe技术都是采用0.18或0.13微米制程节点，IBM是最近才领先宣布进入90纳米节点。

9HP制程是IBM的一个十人小组花了四年时间开发，目前已提供数家关键客户试用，预计8月能通过质量验证。如同SOI制程，IBM也将提供9HP制程的开发套件，此外该公司也提供客制化的介电质附加模块(dielectricadd-onmodules)以及毫米波工具组。Harame强调：“这并非是产业界常见的服务，你在其他先进CMOS晶圆厂或12吋晶圆厂就找不到这些东西。”

该团队也表示，SiGe制程市场正呈现成长态势，因为目前蜂窝骨干网络正迈向采用60GHz连结技术，此外车用雷达也预计将被产业界大幅采用。