韩国三星电子（Samsung）近日在上海举办技术论坛，本次会议主要议题是宣布其新的晶圆代工策略，同时也是为争取大陆IC设计厂代工订单。三星指出，预计今年底10纳米可以上线，7纳米制程将采用最先进的极紫外光（EUV）微影技术，并将针对物联网及汽车电子提供低功耗的28纳米FD-SOI制程。

同时，三星原本只生产自有芯片的8寸晶圆厂，现在也将开放并争取模拟IC或LCD驱动IC等晶圆代工订单。

台湾晶圆代工厂台积电、联电、力晶等已分别以独资或合资方式在大陆建造晶圆代工厂，三星电子在中国的最大投资是西安的闪存制造厂，并没有在大陆设立晶圆代工厂的计划。

三星的晶圆代工晶圆厂主要有三个厂址，包括位于韩国的8寸晶圆厂S1、位于美国得州的12寸晶圆厂S2、以及位于韩国京畿道华城市的12寸晶圆厂S3。另外，三星也将与台积电一样，提供后段封测服务。而三星预估今年包含晶圆代工的月产能将达13.5～14万片12寸晶圆及19万片8寸晶圆，且预估至2017年底产能将扩充约15%。

随着台积电宣布今年底将量产10纳米制程，2018年开始量产7纳米制程，三星也在技术论坛中说明先进制程布局，包括今年底可望开始进行10纳米试产，但将跳过采用浸润式微影技术的7纳米，直接推出采用EUV微影技术的7纳米，预计至2018年底EUV技术可在250W光源下每天生产1500片晶圆。三星认为，7纳米采用EUV可以更好控制成本，有助于争取先进制程晶圆代工订单。

三星认为在中国国内的移动支付、无人机、电动车、自驾车等供应链有很好的创新，也将带来新机会，所以除了支持先进制程，也将在明年第二季开始，提供可支持物联网及汽车电子的28纳米FD-SOI制程。同时，三星也将开放8寸厂产能，配合本身在內存市场的优势提供65纳米嵌入式闪存（eFlash）制程，以及70纳米高压制程，争取大陆市场模拟IC、CMOS图像感测器、LCD驱动IC等代工订单。