Intel此前在2017年投资者会议上宣称他们的半导体工艺依然领先对手3年时间，结果被人嘲讽为PPT制敌，因为三星、TSMC的10nm工艺已经开始量产了，Intel的10nm工艺要等到今年底才能问世。对TSMC台积电来说，他们的工艺之前确实落后Intel一两代，但在10nm节点开始弯道超车，未来的工艺发展速度更是(官方宣传中)超过了Intel，2018年打算量产7nm，而2019年则会试产5nm工艺，现在也着手研发更先进的3nm工艺了。

 23日下午TSMC公司举行了供应链管理论坛，总经理、联席CEO刘德音在会议上做了主题演讲，公布了TSMC公司的一些新动向，比如2017年资本开支将达到100亿美元，研发费用也会增加15%。

对于工艺进展，刘德音表示10nm工艺去年底就已经量产，现在有超过3000名工程师正在为第一季度的出货做准备，今年下半年出货量还会快速扩大。

10nm之后半导体制造工艺也会越来越困境，其中7nm公认为是高性能节点，而TSMC此前也对7nm进展感到满意，自信会领先对手。这次会议上，刘德音提到TSMC的7nm工艺会在今年第一季度试产，2018年正式量产。

7nm之后就是5nm工艺，TSMC表示他们的5nm工艺今年已经进入技术研发阶段，2019年上半年准备试产，不过具体量产时间就没有公布。

再往后还有3nm工艺，这个工艺就更加遥远了，Intel之前的路线图中最多也就前瞻到5nm工艺，而TSMC表现已经着手研发3nm工艺了,投入了数百名工程师资源进行早期研发，TSMC自己也没公开3nm工艺什么时候试产、量产。

PS：考虑到TSMC以往的黑历史，这些制程工艺的真正量产时间其实还是会有变数的，比如说7nm工艺，虽然他们并不是第一家准备在2018年就量产7nm工艺的公司(AMD好基友GF也这么说过)，不过公认2018年量产7nm还是有点太早了，时间还不靠谱，财大气粗如Intel这般也只是计划在2020甚至2021年量产7nm工艺，此前宣布投资70亿美元升级亚利桑那州的Fab 42工厂就是为7nm准备的。