今年大部分资本投资将用于代工厂及闪存制造领域,花费在DRAM制造领域的资本投资今年将达到最高比率 跟随今年上半年半导体行业资本投资数额大增的浪潮,ICinsight也将其2017半导体资本投资预估额提升到了创纪录的809亿美元,这个数值要比去年的673亿上涨了20%,而此前人们估计的增幅水平仅12%,总额预估仅756亿美元.

如图1所示,在这预估的809亿美元中,有一半多点的资本投资将被花费在晶圆代工业务(28%)以及NAND闪存技术升级(24%)这两方面.于此同时,DRAM/SRAM业务相关的投资则相比去年数额提升了53%,成为今年年投资增幅最大的产业块.经历去年第三季度的价格波动风波后,DRAM厂商又开始发力投资.尽管DRAM方面的大部分投资是用于技术升级,但DRAM厂商之一的SK海利克斯承认,仅仅对制造技术进行升级已经无法满足市场需求,还需要开始增加晶圆投片数(wafer start capacity).

另外一方面,尽管今年DRAM业务的投资增幅巨大,然而这丝毫没有阻止人们在闪存业务上的投资热情,今年预估的投资款规模达到了190亿美元,超过了DRAM的130亿美元.总的来看,IC insights认为闪存方面的资本投资大部分将用于3DNAND制程技术的研发,比如三星平泽新厂的3D NAND制程推进费用等等.总体上看,继去年增幅达到23%之后,今年闪存部分的资本投资额增幅还将进一步增加到33%.需要注意的是,历史经验上看,存储厂商过多的投资常常会导致产能过剩以及后续的价格下跌.