紫光国芯10月23日发布三季报显示，今年前三季度公司实现营业收入13.08亿元，同比增长约3成，但净利润同比下降约2成到2.13亿元，每股收益0.35元。另外，有六位前十大股东在三季度对紫光国芯进行减持。

具体来看，受益于公司集成电路业务销量增加，前三季度营业收入同比增长，但营业成本同比去年同期增长约48%，前三季度净利润同比下降。而报告期内，公司加大了研发投入，开发支出金额同比年初增长约35%达到7.67亿元，几乎接近第三季度净利润规模。

今年来，集成电路行业维持高景气度，上游电子元器件等普遍涨价，产能吃紧，反应到财报上，报告期内上市公司预付账款较年初增长1.49倍。

9月机构投资者调研显示，公司在FPGA、智能卡和存储设计业务方面的研发投入增加；近年来自有存储器芯片产品的规模在逐步扩大，销售收入提高较快。公司正在开发高性能第四代DRAM存储器芯片产品，本年度会获得国家“强基工程”项目资金的支持。

从业务来看，2016年受智能芯片业务明显下滑的影响，紫光国芯整体业绩同比有所下滑。今年智能芯片业务正在逐步好转，而特种集成电路业务预计同比持平或略有下降，另外，由于加大了研发投入，上市公司整体利润会有所下降。

三季报显示，今年由于收入结构变动及研发投入加大等原因，导致经营业绩同比下降，公司预计净利润实现2.35亿元至3.36亿元，同比下降最高将达3成。

报告期内，紫光国芯股价上涨约21%，前十大股东中有6位股东进行减持。其中，霍尔果斯天惠人减持比例最大，其次是共青城清晶微和同方股份（600100）。

今年紫光国芯原计划将长江存储的存储器芯片工厂项目置入上市公司，由于项目尚处于建设初期，短期内无法产生销售收入，收购条件尚不够成熟；加之公司与新增标的资产交易对方的谈判一直未达成最终意向，短期内难以形成切实可行的方案，最终7月份终止。

当时，大股东紫光集团向e公司记者表示，存储器芯片工厂建设原是紫光国芯800亿元定增主要募投项目，但受其他项目影响进展较慢。为保证存储器芯片工厂建设进度，由紫光集团设立长江存储先行启动项目。根据承诺，紫光国芯未来若规划存储器芯片业务，在满足条件情况下，有权通过非公开发行、重大资产重组等方式对长江存储进行产业整合。

在机构调研中，紫光国芯高管表示目前长江存储的芯片工厂建设以及与台湾封装厂进一步合作等相关工作都由紫光集团统一协调实施，公司将继续以现有芯片设计为核心业务，并积极寻求相关业务领域的拓展机会。

长江存储肩负国家存储器芯片生产重任，注册资本386亿元。股东结构显示，紫光国芯间接控股股东紫光集团，通过旗下控股子公司紫光国器持股51.04%。

9月28日，国家存储器基地项目项目取得重要进展，一期一号生产及动力厂房，实现提前封顶。国家存储器基地项目一期规划投资240亿美元，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房，项目预计2018年投入使用，达产后总产能预计将达30万片/月，年产值将超过100亿美元。