1.挖矿芯片退潮，供应链厂商荣景难续;

2.联发科、高通、海思需求大，台积电加速7nm工艺量产;

3.英特尔已能够生产用于量子计算芯片的全硅晶圆;

4.MOSFET、IGBT 晶圆代工涨价;

5.可挠式太阳能电池量产受挑战，电池封装与耐用性为关键

1.挖矿芯片退潮，供应链厂商荣景难续;

挖矿潮的热炒带动了GPU和ASIC芯片及相关供应链企业的业绩屡创新高，但是在今年3月达到历史高峰之后，无论是业界还是供应链对于未来的成长都已看淡。

以两大GPU厂商为例，英伟达和AMD都在此前发布财报时表示，挖矿芯片的需求将会放缓，英伟达甚至在财报电话会议上表示，预计该公司第二季度的加密货币挖矿芯片销售额将可能会环比下降三分之二。AMD也预计其第二季度GPU销量将因区块链的因素而出现温和下滑。尤其是在4月和5月，供应链的降速迹象已逐渐显现。4月，挖矿芯片需求大减，使得不少高度依赖挖矿芯片的厂商业绩明显衰退，虽然在5月业绩有所回升，但是市场对于挖矿芯片的前景也已不再如前乐观。

GPU、ASIC芯片企业转向

挖矿芯片需求全面退烧，一方面由于比特币价格回落，带动芯片需求减弱;另一方面也是因为各国政府监管趋严，使得挖矿已经不再如此暴利。

而似乎ASIC矿机芯片厂商也早早预料到了这一场景。

无论是在ASIC矿机芯片市场排名第一的比特大陆，还是刚刚申请IPO的嘉楠耘智，近年来都在呈现一种趋势：扩大产品的使用范围，转向人工智能领域。

以嘉楠耘智为例，除了矿机芯片，嘉楠耘智于2016年开始开发人工智能应用的ASIC芯片，并计划2018年4季度批量生产。

同时，嘉楠耘智也在招股书中表示其未来增长将很大程度上取决于能否渗透到比特币挖矿应用以外的新市场，特别是对高效能和高计算能力有需求的其他类型加密货币，或人工智能产品的ASIC芯片的应用市场。

同时，在矿机芯片市场排名第一的比特大陆也在走着类似的道路。

据Cointelegraph报道，比特大陆正在转向人工智能以寻求替代收入来源。比特大陆CEO吴忌寒称人工智能领域需要大量计算，对比特大陆来说这是自然的选择。吴忌寒预测，AI芯片在五年内可占据比特大陆收入的40% 。

2017年11月，比特大陆“进军”人工智能，发布了旗下AI品牌“算丰”，以及张量加速计算芯片BM1680、正在量产出货的板卡SC1/SC1+和智能视频分析服务器SS1。

比特大陆不仅向产业链的上游——芯片进发，还收购了下游——应用服务商(如早教机器人服务商萝卜科技)。

另一方面，正如之前所说，GPU厂商英伟达和AMD也已看淡挖矿芯片市场。

供应链厂商影响几何?

据了解，从2017年4月至2018年3月期间，GPU完全处于供不应求的状态。但是，英伟达也已明确表示，挖矿相关季营收将年减65%，外界预估减幅恐不只如此;AMD执行长苏姿丰也坦言，虚拟货币变化相当大，目前挖矿需求趋缓，下半年应是持续降温。

此外，据台湾DIGITIMES报道指出，包括微星、技嘉和华硕等在内的显卡厂商的业绩也明显大幅衰退。

虽然，5月挖矿芯片需求略有回升，但是相较于此前需求已大幅度下滑，尤其是在挖矿效益持续减弱的情况下，小型旷工将陆续推出，大中型矿主的采购规模缩减，将会使GPU和ASIC芯片的需求打回原形。

以ASIC矿机芯片为例，这一市场此前主要以比特币为主。现在，据供应链透露，比特大陆或将分散晶圆代工和DRAM的采购，但这并非因为比特大陆出货量增加，而是因为其手上订单不如预期。

此外，受ASIC矿机芯片出货量减少的影响，供应链也受到了影响。包括智原、创意、日月光及台积电在内的供应链厂商因为ASIC带来的效益也将远不如年初所预期的。 以台积电为例，在5月31日台积电公布的财报中表示，台积电第一季度净利润同比增长了2.5%，不及市场预期。

台积电总经理暨共同执行长魏哲家表示，这是由于去年底以来智能手机市场疲软，尤其是高端机型需求不如预期，此外挖矿需求也存在不确定性。而这部分应用正是台积电先进工艺晶圆的主要用户。

台积电此前就曾称，第二季度的盈利可能下降，原因是市场对比特币采矿芯片的需求放缓。

摩根士丹利的分析师Charlie Chan认为，比特币挖矿硬件需求和价格将进一步下跌，并影响台积电的晶圆需求。台积电目前的营收有大约10%依赖于加密货币采矿需求。

现在，随着挖矿热潮持续降温，除了晶圆代工之外，封装和测试这些此前受惠的企业也将受到影响。

2.联发科、高通、海思需求大，台积电加速7nm工艺量产;

台积电的10nm芯片已经量产一年了，苹果A11、麒麟970等都是台积电10nm工艺的产物，今年台积电则会推出7nm工艺。业内消息称，由于联发科、高通、海思的需求增加，联发科正在加速7nm芯片的量产，并在2019年推出第二代7nm EUV工艺。

Digitimes爆料称，台积电的7nm工艺已经收到了越来越多的客户需求，将使用7nm工艺为客户代工芯片，更多的无晶圆工厂打算跳过10nm节点，直接使用更先进的7nm工艺。 海思、联发科、赛灵思以及NVIDIA都表态使用台积电的7nm工艺生产下一代芯片，同时IC设计服务商Global Unichip和Alchip也在提供解决方案，帮助客户加速7nm芯片开发。

台积电的7nm工艺将在今年Q2季度量产，台积电预计7nm工艺将在Q4季度贡献20%的营收，全年营收贡献则在10%左右。除了移动芯片之外，服务器处理器、网络处理器、游戏、GPU、FPGA、加密货币、汽车电子以及AI人工智能都是7nm芯片的目标市场。

根据台积电的消息，台积电的7nm N7工艺之后，2019年还将推出基于EUV工艺的7nm N7 Plus工艺。

目前台积电的10nm工艺在Q1季度贡献了19%的营收，不过官方证实10nm工艺在Q4季度的贡献占比将下滑至10%以内。

3.英特尔已能够生产用于量子计算芯片的全硅晶圆;

去年，英特尔向量子计算的商业化迈出了一小步，拿出了17个量子位超导芯片，随后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一个具有49个量子位的测试芯片。与此前在英特尔的量产努力不同，这批最新的晶圆专注于自旋量子位而非超导量子位。这种二次技术仍然落后于超导量子力度，但可能更容易扩展。

展望未来，英特尔现在每周能够生产多达五片硅晶片，其中包含多达26个量子位的量子芯片。这一成就意味着英特尔大幅增加了现有量子器件的数量，并可望在未来几年稳步增加量子比特数。英特尔量子硬件总监Jim Clarke接受采访时透露，目前用于小规模生产的技术最终可能会扩展到超过1000个量子位。由于温度波动引起的膨胀和收缩限制使得工程师不能简单地扩展芯片上的量子位数。 目前，每个晶圆都由量子点组成，必须仔细切片，以便每个芯片以适当数量的量子位结束。由于缺陷和物理限制，完成的芯片最终可能有3,7,11或26个量子位。无论哪种类型的量子计算占上风，英特尔的目标是构建一个可以扩展超过100万个量子位的架构。这将允许使用相同的基本结构，但改进的量子位Overtime，而不必在每次产生新的量子突破时回到原点。

根据克拉克的说法，“5年内有1000个量子位不是不合理的。”他比较了世界上第一块集成电路和仅含2500个晶体管的英特尔4004处理器之间的时间。在量子技术方面，克拉克认为英特尔可能在10年内达到100万个量子位，但他表示在这方面他可能会有点乐观。

尚待解决的挑战之一是操作量子处理器所需的极端寒冷的温度。由于温度需要尽可能保持接近绝对零度，量子计算机的性能需要远远高于传统硅，以使其具有成本效益。着技术的进步，其实用性将迅速提高。

4.MOSFET、IGBT 晶圆代工涨价;

金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体下半年恐现缺货潮，IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季已确定涨价，其中6吋晶圆代工价格大涨10～20%，8吋晶圆代工价格亦调涨5～10%。

受惠于MOSFET价格调涨，带动功率半导体晶圆代工涨价效应，茂矽及汉磊股价昨(11)日攻上涨停，世界先进及新唐亦同步大涨。法人表示，MOSFET及IGBT需求强劲，6吋及8吋晶圆代工第三季涨价，将带动业者下半年获利表现。

茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20%，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。

据业界消息，茂矽通知至8月底前暂停工程实验及新产品试产，未满25片的非完整批暂缓投片，未满150片的炉管最小片数亦暂时降低生产排货等级，交期将延长。同时，茂矽亦要求客户配合提供EPI硅晶圆且抵达厂内确定时间才开单。

汉磊昨日召开股东常会，董事长徐建华表示，人工智能、汽车电子及电动车、物联网等都带动功率半导体需求，汉磊旗下硅晶圆厂嘉晶产能满到年底，旗下晶圆代工事业同样接单满到年底。汉磊将逐调整产品结构，扩大利基产品量产规模与提高宽能隙产品的比重，希望今年能达全年获利的目标。

虽然徐建华不愿多谈硅晶圆及晶圆代工是否涨价，仅强调涨价要考虑市场及客户关系。但业界指出，EPI硅晶圆今年已确定逐季涨价，加上上游客户积极争取晶圆代工产能，在订单满到年底情况下，预期汉磊5吋及6吋晶圆代工价格下半年将同步涨价1成以上。

再者，新唐及世界先进亦传出调涨第三季晶圆代工价格消息。在MOSFET订单大举涌入情况下，新唐6吋晶圆代工产能自去年满载到现在，目前在手订单也已经排单到年底，第三季价格传出调涨1成消息。

5.可挠式太阳能电池量产受挑战，电池封装与耐用性为关键;

实现穿戴式太阳能衣服、汽车、3C 设备可说是当今科学家的梦想，其中染料敏化太阳能电池(DSSC)则被认为是最具潜力生力军，但现实往往没有那么简单。科学家指出虽然 DSSC 已逐步迈向商业化与量产，但仍有耐用性、产品适用性、电池封装等挑战。

有别于常见、大规模量产的硅晶电池，DSSC 不需要透过半导体制程，制造容易、成本低，可透过「染料」吸收太阳光并转移电子，且基板也可以使用可挠式材质发展穿戴式设备，并用简单的涂布达成，但有机材料光电性质较差，结构还会被紫外线破坏，所以依旧停留在研究室阶段。虽然已有不少研究逐步解决这些问题，但仍有一致性不足问题。

目前芬兰阿尔托大学与加拿大蒙特娄大学团队专注于可挠式 DSSC 最新进展以及如何突破当今局面达成量产。研究认为，DCSS 可以利用卷轴式(Roll-to-Roll)制程达到商业化，其中由于喷墨印刷可以精准嵌入染料与电解质成分，在该制程具有十足的发展前景。

而可挠式电池封装对大规模生产更是一大挑战，如果封装不紧密，液态电解质可能会泄漏或是让杂质有缝隙可渗入，这些问题都会大大缩短电池寿命。研究也指出需要新型电池基板接合技术，传统的玻璃介质(glass-frit)仅适用于硬性设备，如要发展可挠式电池，尚需要新的接合制程。

电池也必须要拥有足够的使用寿命，阿尔托大学生物制品与生物科学系研究员 Kati Miettunen 表示，可挠式太阳能电池通常是用金属或塑料制造，但金属可能会腐蚀，塑料也会让水和其他杂质渗入。

未来还得开发更稳定的可挠式基底，最好是价格便宜、对环境影响更小的材料，研究则发现或许可用生物材料或混合材料制成木浆，并用永续材料木浆当成可挠式电池基底。目前研究已发布在《Wiley Online Library》。