责任编辑：editor004 | 2016-08-10 12:14:24 本文摘自：cnBeta
根据国内消息来源表示，三星电子正在测试其下一代手机处理器Exynos 8995，采用10纳米FinFET工艺，最高速度可达到4GHz，其功耗和传闻当中的高通骁龙830相同，据称高通骁龙830处理器最高工作频率只有3.6GHz。换句话说，三星接下来的Exynos芯片或提供了极大的电源效率。
预计三星明年Galaxy S8智能手机有可能是第一个采用Exynos 8995处理器的产品。不过，目前来看，迁移到10nm制造工艺，仍然非常棘手。英特尔本来准备今年作出这样的转变，然而计划已经延期，并推出了权宜产品，显示10nm工艺比预期更困难。同样的事情有可能在移动芯片产业发生。所以10nm处理器绝对不可能成为明年的主打产品。
其次，行业才刚刚出货和使用14nm 芯片，高通骁龙820和821处理器是首批采用这一工艺的产品，在理论上还有改进的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工艺的产品。
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责任编辑：editor004 | 2016-08-10 12:14:24 本文摘自：cnBeta
根据国内消息来源表示，三星电子正在测试其下一代手机处理器Exynos 8995，采用10纳米FinFET工艺，最高速度可达到4GHz，其功耗和传闻当中的高通骁龙830相同，据称高通骁龙830处理器最高工作频率只有3.6GHz。换句话说，三星接下来的Exynos芯片或提供了极大的电源效率。
预计三星明年Galaxy S8智能手机有可能是第一个采用Exynos 8995处理器的产品。不过，目前来看，迁移到10nm制造工艺，仍然非常棘手。英特尔本来准备今年作出这样的转变，然而计划已经延期，并推出了权宜产品，显示10nm工艺比预期更困难。同样的事情有可能在移动芯片产业发生。所以10nm处理器绝对不可能成为明年的主打产品。
其次，行业才刚刚出货和使用14nm 芯片，高通骁龙820和821处理器是首批采用这一工艺的产品，在理论上还有改进的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工艺的产品。
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