责任编辑：editor005 | 2014-10-10 22:17:39 本文摘自：天极网
在SSD产业中三星一直积极地推进技术进步，并且已经连续推出了两代3D堆叠技术的V-NAND闪存，不过基本都是MLC芯片，并没有研发出TLC芯片相应的技术。近期三星表示，已经对3D TLC闪存芯片进行了量产，相信不久之后也会有响应的SSD出现。不过TLC闪存的SSD一般价格都是很便宜的，相信之后还会有价格更低的大容量SSD出现。
三星宣布，全球第一个3D堆叠的TLC V-NAND闪存已经投入批量生产，相应的固态硬盘也会很快到来。
不过，三星似乎不太喜欢TLC这个名称，官方一直说是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。
新闪存基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷捕型获闪存技术，同样垂直堆了多达32层，每颗芯片容量为128Gb(16GB)。
具体制造工艺没说，但看起来应该是1xnm级别的。三星称，相比于平面型的TLC，它可将晶圆的产能输出翻一番还多，成本自然大大降低。
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责任编辑：editor005 | 2014-10-10 22:17:39 本文摘自：天极网
在SSD产业中三星一直积极地推进技术进步，并且已经连续推出了两代3D堆叠技术的V-NAND闪存，不过基本都是MLC芯片，并没有研发出TLC芯片相应的技术。近期三星表示，已经对3D TLC闪存芯片进行了量产，相信不久之后也会有响应的SSD出现。不过TLC闪存的SSD一般价格都是很便宜的，相信之后还会有价格更低的大容量SSD出现。
三星宣布，全球第一个3D堆叠的TLC V-NAND闪存已经投入批量生产，相应的固态硬盘也会很快到来。
不过，三星似乎不太喜欢TLC这个名称，官方一直说是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。
新闪存基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷捕型获闪存技术，同样垂直堆了多达32层，每颗芯片容量为128Gb(16GB)。
具体制造工艺没说，但看起来应该是1xnm级别的。三星称，相比于平面型的TLC，它可将晶圆的产能输出翻一番还多，成本自然大大降低。
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