NAND闪存技术泄露,东芝起诉SK海力士

责任编辑:editor006

2014-07-23 17:17:21

摘自:中国青年网

近日,东芝集团与美国闪迪公司,因NAND闪存芯片技术泄露而起诉SK海力士公司。案件起因是,东京警方以涉嫌泄露公司机密资料和商业间谍行为,逮捕了闪迪公司的一名工程师。闪迪公司称该工程师在离职后,带NAND闪存技术机密转投SK 海力士。

近日,东芝集团与美国闪迪公司,因NAND闪存芯片技术泄露而起诉SK海力士公司。案件起因是,东京警方以涉嫌泄露公司机密资料和商业间谍行为,逮捕了闪迪公司的一名工程师。闪迪公司称该工程师在离职后,带NAND闪存技术机密转投SK 海力士。闪存芯片是东芝集团的主要利润,东芝集团称这次事件损失高达9.8亿美元。早在2004年东芝就曾以侵犯闪存专利权为由对SK海力士公司发起诉讼。最后,Hynix公司与东芝、闪迪签署了专利交叉许可协议。

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