TLC闪存很有可能在2015年晚期或2016年进入企业环境。
TLC闪存专为解决闪存的容量问题而设计。目前大多数闪存驱动都基于MLC。问题的关键在于有限数量的单元能够物理的放置于冲模中。如果闪存厂商想要增加容量，这里有三个选项：
· 增加冲模的物理大小
· 减小单元的大小
· 采取新的单元架构
增加冲模或减小单元的大小都存在问题。闪存单元最终都会因为多次写操作而耗损。大单元会比小单元持久些，也因此能够保证更大的写数量。而如果单元减小，单元中的电子数量也会随之减少。这最终会到达一个临界点，单元过小导致的诸如电子漏等不可靠性的出现。
因此，闪存生产商都走向了最后一个选项：一种新型单元架构。TLC单元通过每单元增加一个存储位而增加了闪存容量。而TLC广泛用于企业存储也只是个时间问题。
但即便是TLC也有存储容量的限制。TLC可能最终被3D NAND超越，3D NAND则是通过冲模垂直分层来增加容量。
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