三星电子智能手机吃闷棍，力拼内存事业救业绩！据传三星为了稳固龙头地位，将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM，对手 SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）远远落后，技术差距约为一年半。
BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM，准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说，明年三星 10 纳米等级 DRAM，将占整体 DRAM 生产的一半。
DRAMExchange 估计，当前三星 DRAM 生产以 20 纳米为主、占 82%，18 纳米仅占 12%。
三星制程微缩进展比原先预期更为快速，内存部门主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年将量产 10 纳米等级 DRAM，如今看来，应该 2019 年初就能达成目标。
三星是 DRAM 霸主，IHS 数据显示，今年第二季三星的 DRAM 市占率高达 46.6%。对手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 纳米等级，要到明年第二季之后才会开始生产 18 纳米 DRAM，技术差距约在一年到一年半之间。
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