三星电子再次超越了半导体开发的技术极限。
于本月11日闭幕的、以三星集团内部的研究团队为对象举行的“2011三星技术展”上展示了世界首个10nano级的Nand Flash存储器产品，这是由三星综合技术院开发的试制品。
三星电子的有关人士补充道“尚处于测试芯片阶段，量产日期难以确定。请从掌握技术层面来考虑”，“努力准备的话，明年上半年有可能实现量产”。
今年5月，三星电子量产了以20nano级的Nand Flash为基础的Micro SD卡，这属世界首次，但是10nano级产品的量产却是另外一个不同级别的问题。10nano级的产品一直被认为是半导体技术的“物理极限”，10nano级的半导体电路意味着线宽(电线间距)为10nanometer。业界普遍认为，通过改善单元结构或采用新材料等方法可以达到20nano级，但这与细化到10nano级所需的技术的层次是不同的。如果想要超越技术的极限，需要巨额的投资。有分析认为，三星电子通过果敢地推进该项技术的研发，确保了继续保持与竞争对手间技术差距的跳板。越是细化nano工程，半导体芯片就会变得越小， 晶圆(Wafer)的单位产量也会增加，而且因为制造成本的降低，竞争力也会大幅提升。
另一方面，三星电子存储器事业部社长全东守最近和记者见面时表示“如果变换思路，就有可能超越技术极限。通过不断创新，我们能够继续发展到10nano以下”。
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