新型态的晶片将推出，未来记忆体及储存器之间的界线，将越来越模糊，新晶片也已经远离利基应用产品的范畴，甚至能改变我们使用PC的方式。

PCWorld报导，最新型的晶片具有即时启动能力，在平板电脑很常见，但是拥有更高的性能。而分析师观察到，新固态储存(solid-state storage)技术的发展，有越来越重要的趋势，MRAM则是对非挥发(non-volatile)记忆体技术越来越重要，另一种抗阻记忆体 (resistive RAM)也受到注意。

常规的记忆体晶片称为DRAM，每个储存单位储存了电荷1和0，但磁阻RAM使用1个电荷，电阻式RAM又称RRAM是基于两种材料制成的夹层，具有不同的阻力，构成了外层材料的中心层。

上述的这些新技术，都是实验室成品，并且已经产生应用，且有更多人使用。许多大型记忆体晶片制造商，已经开始转移至新技术。瑞萨电子(Renesas Electronics)、日立半导体(Hitachi High-Technologies)和美光(Micron Technology)是日本东北大学(Tohoku University)一个MRAM计划的主要参与者，而一家新创公司Crossbar则表示2014年8月将为RRAM申请专利。

在MRAM及RRAM两种技术能够代替DRAM之前，仍有许多工作要完成，此外分析师认为，新记忆体晶片的价格也需要调低。若厂商愿意降价，会有更多PC厂商将电脑内部插槽扩充或改装，以便装设新型晶片。

现今用户多半使用DRAM来跑程式及暂存系统及软体所需的数据，当电力不足时，DRAM的内容也会消失，但若使用MRAM或RRAM，即使电脑被关掉，还是有可能恢复到先前工作的某段时间。

平板电脑中常见的Flash Memory在关掉电力后，仍可储存之前的工作记忆，而新型晶片的记忆能力较快闪记忆体强大。Crossbar表示，RRAM将使PC书写速度增加20倍，少20倍的用电量，并较NAND Flash耐久10倍。

不过，好的记忆储存能力可能会带来一个问题，过去当电脑当机或程式发生问题时，用户多半会重开机，通常都是记忆体出现问题，所以关机重来即可，但未来若记忆体能够持续记忆更多东西，要开机重来恐非易事。因此，PC制造商得生产更为坚固牢靠的电脑，让重开机的机会减少，才能解决此问题。