TrendForce旗下拓墣产业研究所25日发布研究报告称，随着紫光国芯（原同方国芯）加大投资、武汉新芯扩厂及三星和英特尔等国际厂商增加产能，2020年中国国内闪存月产能将达59万片，相较于2015年增长近7倍。
拓墣研究经理林建宏表示，中国国内厂商要在突破内存自制缺口的政策方针下发展闪存晶圆制造，可以通过NAND闪存产品特性、3D NAND需求、新兴市场的增长空间等方向切入。
责任编辑：editor005
作者：王宙洁
2016-04-26 15:18:00
摘自：中国证券网
TrendForce旗下拓墣产业研究所25日发布研究报告称，随着紫光国芯（原同方国芯）加大投资、武汉新芯扩厂及三星和英特尔等国际厂商增加产能，2020年中国国内闪存月产能将达59万片，相较于2015年增长近7倍。
TrendForce旗下拓墣产业研究所25日发布研究报告称，随着紫光国芯（原同方国芯）加大投资、武汉新芯扩厂及三星和英特尔等国际厂商增加产能，2020年中国国内闪存月产能将达59万片，相较于2015年增长近7倍。
拓墣研究经理林建宏表示，中国国内厂商要在突破内存自制缺口的政策方针下发展闪存晶圆制造，可以通过NAND闪存产品特性、3D NAND需求、新兴市场的增长空间等方向切入。
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