混合存储立方或提升现有内存速度10倍

责任编辑:vivian

2012-08-21 09:41:20

摘自:中关村在线

计算机存储芯片制造商美光与三星近日同时宣布,由它们领导的混合存储立方联盟已经发布了混合存储立方的第一份规范草案,该草案初步制定了混合存储立方的接口规范。

计算机存储芯片制造商美光与三星近日同时宣布,由它们领导的混合存储立方联盟已经发布了混合存储立方的第一份规范草案,该草案初步制定了混合存储立方的接口规范。

混合存储立方是一种先进的存储芯片,如果研发成功,它将使计算机性能飞速提升。例如,未来采用混合存储立方的内存,它的传输性能将比现役的DDR3内存快10倍以上。

除了美光与三星之外,混合存储立方联盟的成员还包括了全球不少大牌企业,例如ARM、惠普,IBM、微软等等。

据悉,最终版的混合存储立方规范预计将于今年年底面世。

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