美光(Micron)已经打造了世界上最小的3-bit每单元NAND闪存芯片，针对USB记忆棒内存等，而Facebook的开放源码硬件大师表示，这种芯片可以被用于其云计算的数据中心，来提供超低价的闪存存储。

TLC(3级单元)NAND技术每单元有3位，比标准的MLC(多级单元)闪存多了一个，它在一个给定的容量水平提供了更便宜的闪存存储——尽管访问速度慢于MLC，并且其在写入周期上的工作寿命要低得多。使用20多纳米制程大小构建的MLC闪存具有3,000次原始写擦除周期，而相当制程的TLC闪存只有不到三分之一。

即使有过量配置(over-provisioning)以延长其耐久度，TLC闪存还没有发现有利于在数据中心的用例。相反，它已被用于U盘和相机闪存卡——例如SanDisk所聚焦的，在那里它的写寿命不是那么重要，而在乎成本。

美光已经使用20nm制程在只有146平方毫米的面积上建立了一个128Gbit TLC芯片。它一条边的长度为12.083毫米，比小指甲稍微大一点。这意味着TLC 闪存应用可以在和以前一样的相同物理尺寸中塞进更多的容量。

美光认为，今年出货的大约35%的NAND容量将用于像卡片相机和U盘这样的可移动闪存存储产品。这是一个针对小芯片的大市场。

与此同时，Facebook的开放计算项目倡导者Frank Frankovsky，这一次表达了：“你可以针对冷数据使用TLC闪存”——的言论。如果他是正确的，那么TLC闪存的需求可能会变得高很多。

有一种认识，TLC闪存作为芯片是便宜的，而且比磁盘的访问更快，甚至磁带。Frankovsky对Ars Technica说，你可以设计一个控制器算法，跟踪单元(cell)状态，并维护一个像磁盘驱动器的坏块列表那样的坏单元列表。“死掉”的TLC闪存单元将被忽略。他估计，通过知道哪些单元是好的，哪些是坏的，你可以建立一个冷存储闪存资源，这将比磁盘便宜，因为你不需要技术人员到处蜂拥在数据中心更换损坏的磁盘驱动器。

Facebook可以重写的服务器、网络和存储产品的规则，因为他们要如此多的东西供自己使用，并希望它简化之后它们的成本更低。也希望所有无用的分化剥离出来——例如阻碍气流的花哨前挡板。

规模使得Facebook重新定义基础计算产品的设计和构建规则成为可能，而供应商们紧张了。服务器、网络和存储产品供应商发抖地看着利润杀手Frankovsky和他的雇主在做些什么。