三星3GB内存芯片量产

责任编辑:杨传波

2013-07-25 10:35:23

摘自:搜狐IT

三星宣布,旗下高密度的LPDDR3芯片即将量产,该内存模组的数据传输速率最高能达到2133Mbps。

北京时间7月25日消息,三星宣布,旗下高密度的LPDDR3芯片即将量产,该内存模组的数据传输速率最高能达到2133Mbps。目前手机中使用的是2GB封装芯片。

据三星介绍,LPDDR3芯片模组由6颗20纳米4GB内存芯片分两列堆叠而成,厚度仅为0.8毫米,数据传输速率为2133Mbps。3GB LPDDR3内存连接到移动应用处理器,它由两个对称的数据传输通道组成,每个连接1.5GB存储部分。非对称数据流会导致某些设定下性能大降,对称架构可以避免此类问题,将性能提高到最高水平。

业界人士表示,LPDDR3芯片即将量产,意味着下一代高端智能手机将有望采用3GB内存。采用这种芯片的智能手机将更加轻薄,并能提升电池容量。此外,更大、更快的内存芯片,还能够更好地支持多任务处理、视频播放,并给需要大容量内存的应用带来更出色的表现。

三星还表示,该公司目前正在开发另一个版本的芯片产品,该芯片产品使用了4颗6GB内存芯片进行堆叠,开发成功后将能够进一步提升产品性能。

三星表示,新开发的内存芯片不仅可以用在智能手机上,平板电脑未来同样也可以使用这种芯片。

从今年下半年开始,最新的、最高端的智能手机就会采用3GB内存,明年大多的高端手机都会采用。

(Risen)

链接已复制,快去分享吧

企业网版权所有©2010-2025 京ICP备09108050号-6京公网安备 11010502049343号