SK海力士今天称，它开发了全球首款硅通孔封装(TSV)技术的存储芯片，芯片速度和效率大大提高。
SK海力士称，这款高带宽内存芯片处理速度达到128字节/秒，这是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的电压下运行。
SK海力士称，这款芯片将耗电量小于40%。
它与AMD共同开发，新产品使用TSV技术结合40纳米级别DRAM，可使DRAM以更高电效率连接。
SK海力士称TSV芯片能够应用于高图形性能设备，也能用于超级计算机和服务器中。据说这款芯片将于2014年下半年开始量产。
责任编辑：editor03
2013-12-27 09:39:54
摘自：手机中国
SK海力士今天称，它开发了全球首款硅通孔封装(TSV)技术的存储芯片，芯片速度和效率大大提高。这是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的电压下运行。
SK海力士今天称，它开发了全球首款硅通孔封装(TSV)技术的存储芯片，芯片速度和效率大大提高。
SK海力士称，这款高带宽内存芯片处理速度达到128字节/秒，这是GDDR5芯片的四倍，它可以在1.2伏特的电压下运行。
SK海力士称，这款芯片将耗电量小于40%。
它与AMD共同开发，新产品使用TSV技术结合40纳米级别DRAM，可使DRAM以更高电效率连接。
SK海力士称TSV芯片能够应用于高图形性能设备，也能用于超级计算机和服务器中。据说这款芯片将于2014年下半年开始量产。
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