从东芝跳电事件说起

NAND Flash大厂日本东芝12月8日位于日本四日市的4座晶圆厂出现短暂0.07秒的跳电状况，导致4座晶圆厂停工将近2天，虽然晶圆厂内都有安装UPS不间断电源系统，以防止这种突然跳电或是因地震引起的电流不稳状况，但东芝这次的电压不稳事件，似乎比预期严重，因此应急供电支持系统并未派上用场，加上重新检查机器设备，导致晶圆厂需要全数停摆才能在启动开工。

东芝预估这次停电会影响未来2个月，即20(网购最低价 1748元)11年1、2月份的NAND Flash产出，影响程度约10至20%，以目前东芝全球NAND Flash市占率约35%来计算推估，这次跳电事件影响全球产能约3.5至7%，以东芝1至3月闪存事业营收约1700亿日圆来计，若出货减少约20%，单月营收损失约达100(网购最低价 3488元)亿日圆。

NAND Flash消耗量最大的应用过去是快闪记忆卡、闪盘、手机、MP3播放器等，2010年开始被智能手机取代，大量的内嵌式内存需求吃掉主要的NAND Flash产能，2011年最被看好的应用除了手机的内嵌式内存持续发烧外，还有平板计算机和固态硬盘等应用。

由于东芝是多家品牌系统大厂的主力NAND Flash供货商，包括苹果等，彼此都签定长期供或合约，加上现在各家系统大厂都陆续推出新款的平板计算机，要迎战频果的iPad(报价 参数 评测 图库)，东芝在此时发生停电事件是否会影响到客户的供货量，市场相当关注。此时发生跳电状况，是时机最不佳的时候。

日前受到此事件影响，部分通路商已开始进入现货市场抢短线商机，导致NAND Flash现货报价开始止跌反弹，主流规格的16Gb至32Gb容量的芯片单日上涨3至4%，市场认为后续效应需要再观察。

亏大了：产能影响可能有20%

业界有消息透露这次掉电，影响面颇大，普遍使用于智能手机、平板计算机及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与SanDisk合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子。接下来几个月，全球的闪存市场的供给将受到明显冲击。不过，闪存消耗特别多的苹果跟多家供应商都签有长期供应合约。

日本中部电力(Chubu Electric Power)表示，供电不稳是从2010年12月8号早上开始，当时供电的电压突然间下降，造成东芝在四日市的厂房出现0.07秒的断电。虽然断电时间十分短暂，但因为生产线复杂的机械设定，其实还是会造成很大的影响，就像突然拔掉计算机主电源插头一样。

基于这个原因，许多芯片厂都会特别注意预防措施，包括安装不断电系统。东芝发言人表示，这次四日市厂房的不断电系统没有发挥应有的功效，是因为中断的电力已经超过系统的负荷值了。

芯片制程中发生跳电事件，通常会伤及硅晶圆片，一般而言，硅晶圆的制程需时约8至12周。制程中间若出现断电，硅晶圆片通常都会毁坏，只有储存中及在不同机械间转移的晶圆片可以逃过跳电一劫。偶尔出现空气清净机或空调系统跳电问题则有可能污染需维持无尘环境的晶圆。晶圆厂跳电就象是手术中途人工心脏断电一样，结果就是病人命都丢了。

根据东芝的估计，这次跳电事件对产能造成的影响可能延续到2011年2月，出货量最多可能少掉2成。按东芝的市占率来看，这次跳电可能让受影响期间的NAND全球供给量骤减7.5%，不过，相对于2011年全年则比重会小许多，所以大概只会让NAND存储器短期价格大涨，这种事情过去就有前例。

唯一值得庆幸的是，1、2月的产能减少对于全年而言影响算是相对小的，应该会减少缺货的机会。不过，NAND的需求量最近增加速度相当异常，因为智能手机及平板计算机对其需求大增，2011年全球的NAND出货量可能会成长70%。

回顾历史：尽数内存大厂停电纪录

事实上，内存工厂的停电事件屡见不鲜，过去都是韩系大厂为主，包括三星电子和海力士都发生多次跳电事件，这次则轮到了一项以严谨、精确、勤奋闻名的日系半导体大厂东芝的晶圆厂发生跳电导致停工。

Macbook Air中的东芝固态硬盘

过去三星在2007年8月和2010年3月发生停电事件，其中2007年8月器兴厂Fab13和Fab14发生的意外停电事件，长达21个小时，其中受影响的生产现有5至6条，损失金额约400(网购最低价 278元)亿至500(网购最低价 1262元)亿韩元间。再者是2010年3月下旬南韩器兴厂下午发生停电，仅持续约1小时左右，但因为有UPS不间断供电系统支持，三星这次停电的损失金额不到90亿韩元。

海力士在2008年5月时，大陆的无锡12寸晶圆厂也发生停电事件，持续约4个小时，包含生产线停电导致芯片受损等成本，损失金额1,600万至1,800万美元。2010年4月海力士也再度传出停电事件，但停电时间非常短，加上不断电系统的紧急支持，并未造成损失。

这次轮到日厂东芝，NAND Flash生产线因为电力供应不足，导致4座晶圆厂全部出现停电状况。不过，东芝这次跳电事件令业界不解之处，在于晶圆厂是在8日上午发生跳电，真正停电时间相当短暂仅有0.07秒，但晶圆厂一直要到10日才能完全复工，生产线停工时间几乎有2天之久，相较于过去韩厂处理晶圆厂停电都是直接以不断电系统接上，小编认为可能是日厂作法过于谨慎之故。

有人欢喜：NAND Flash市场大逆转之契机

东芝8日发生跳电事件，但公司一直到9日才对外透露此事，NAND Flash报价仅出现小幅上涨，下游模块厂对于这次停电事件态度亦异常平静，认为还需要进一步观察。在通路商方面，9日上午开始有部分大陆通路商进场补货，下午补货力道又更积极，显见通路商虽预期NAND Flash报价有上涨空间，但作法上相较于过去谨慎许多。

东芝原厂SHHC闪存

东芝这次停电对产能所造成影响，预计会减少产能10至20%，主要将反应在2011年第1季，由于东芝目前是全球第2大NAND Flash供货商，全球市占率达35%，仅次于三星市占率40%，虽然这次停电对于全球NAND Flash市场产能影响约3.5至7.0%，但以内存报价高度敏感特性，可能足以逆转2011年第1季市场供需。

其实业界相当看好2011年第1季NAND Flash市况，预计不会如往年般处于传统淡季，由于各大系统品牌厂纷力推平板计算机，且都是内建NAND Flash或是固态硬盘，这块市场对于NAND Flash产能需求将快速成长，未来2年消耗量相当可观。如今又发现东芝跳电事件，是否能帮助沈寂已逾1年的NAND Flash产业脱离谷底，将受到下游模块厂高度关注。

防伪标识，质保5年

展望2011年第1季NAND Flash市场，若平板计算机拉抬效应如预期显现，加上东芝跳电造成产能缺口，预计价格有机会出现反弹，直接受惠者包括金士顿、群联、创见、威刚、劲永、宇瞻等。群联便表示，东芝已承诺2011年第1季货源绝不会受到跳电事件影响而减少。

东芝停电 闪存涨价 通路补货

东芝停工2天，使得NAND Flash现货报价开始止跌反弹，受到下游通路商进场补货激励，16至32Gb容量芯片单日上涨3至4%，有机会让NAND Flash价格暂时回稳，并衔接2011年大陆农历春节前补货潮。

东芝的SSD控制器方案Toshiba T6UG1XBG

受此事件影响，NAND Flash现货价开始止跌反弹，主流16至32Gb容量芯片单日上涨3至4%，报价分别为4.26及5.18美元，低容量8Gb芯片和高容量64Gb芯片亦小幅弹升。内存厂认为，由于通路商开始进场补货，推升价格上涨，原本进入12月传统淡季，但跳电事件导致未来2个月供货量减少，有助于NAND Flash价格暂回稳，厂商期望能连接2011年大陆农历春节前补货潮，让很久没表现的NAND Flash市场加温。

此外，由于内存模块厂12月营收大多呈现下滑趋势，这一波NAND Flash报价上扬，有助于缩小模块厂12月营收下滑幅度。内存下游厂认为，平板计算机已成为最热门产品之一，各大品牌厂陆续推出新款平板计算机机种，消费者接受度亦升温，有助于刺激NAND Flash使用量。

过去NAND Flash使用量最大宗是快闪记忆卡、闪盘和MP3播放器等，2010年开始转往智能手机，以内嵌式内存eMMC为主流，对于NAND Flash产能消化相当可观，但此部分订单都是直接下至三星、东芝、美光等大厂。

采用东芝方案的金士顿的SSD Now V+固态硬盘

东芝工厂布局调整

停电时间爆发之前，东芝就透露在2010年12月底，关闭日本三重县四日市的Fab 2，将NAND Flash生产资源都投入2011年开始营运的Fab 5，并计划在2011年开始将系统LSI芯片业务委外代工。不过内存厂商表示，由于Fab 2是8英寸晶圆厂，这2年贡献NAND Flash产能比重已相当少，东芝都将重心放在12英寸晶圆厂身上，因此Fab 2的关闭并不会影响NAND Flash市场供需，反而是要提防三星电子和东芝2011年都扩产NAND Flash产能，要看应用端需求能否衔接上来。

东芝目前旗下有4座晶圆厂，Fab 1和Fab 2是8英寸晶圆厂，Fab 3和Fab 4是12英寸晶圆厂，2010年东芝决定兴建Fab 5，同样也是12英寸晶圆厂。Fab 1和Fab 2由于是8英寸晶圆厂，贡献NAND Flash产能比重已不大，Fab 3和Fab 4目前单月产能各约15万片，是东芝和合作伙伴SanDisk在NAND Flash产能上最重要的生产基地。

东芝半导体事业的子公司社长小林清志接受外电专访时表示，将关闭旗下4座晶圆厂中的Fab 2，预计2010年12月底前会停止营运，未来生产资源将会放在较新的厂房Fab 4，以及2010年兴建、2011年即将完工的Fab 5。

Fab 2是老旧的8英寸晶圆厂，但此座厂房仍在生产NAND Flash芯片，但随着东芝12英寸晶圆厂量产上轨道，Fab 2这2年对NAND Flash产能比重已相当少，不认为此座晶圆厂的关闭有助于逆转NAND Flash市场供需。

目前全球NAND Flash市占率中，三星的市占率有再度重回40%大关的希望，东芝则紧跟在后，2者相距不到5个百分点；追在后面的美光、海力士、英特尔等，市占率都不足以撼动NAND Flash双雄，目前在NAND Flash产业中，显而易见的是三星与东芝间的殊死战。

三星预计于2011年初完工的华城厂16产线将优先生产NAND Flash芯片，而东芝和SanDisk合资的Fab 5过去因为金融风暴而暂缓扩产，今年好不容宣布要回复兴建，预计明年投入量产，在2大NAND Flash厂都有新厂房要加入战局的情况下，2011年NAND Flash市场会相当热闹。