英特尔首款SOFIA 3G芯片将在第四季度推出，目前已经在台积电中科厂扩大投片，采用28nm制程工艺。明年上半年，英特尔SOFIA平台另两款芯片也将扩大下单。
据悉，明年上半年英特尔将推出升级为四核的SOFIA 3G-R，下半年推出SOFIA LTE芯片。此外，英特尔公布了明年的平板芯片技术蓝图，根据蓝图，首款14nm四核Cherry Trail平台明年将问世。
英特尔拥有领先的代工厂还找台积电代工，主要原因是SOFIA是集成基带技术，与Atom独立的基带芯片的制造工艺不同，自己生产需要一定的整合时间。下一代产品采用14nm工艺，意味着将回归英特尔自己的工厂。
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