OFweek电子工程网讯：全球手机芯片龙头高通明年主打的旗舰芯片骁龙830（产品代号为MSM8998）由三星操刀代工，但至今送样仍少，市场传出主因产品进度不顺，高通后续订单可能转回台积电，为台积电明年再新增一家十纳米重量级客户，挹注营运动能。

过去高通的最高阶旗舰手机芯片主要都由台积电代工生产，但是，前年由台积电制造的骁龙810出现过热问题，一度遭点名恐对今年各家手机品牌厂旗舰机销售带来影响。

加上三星去年的旗舰手机Galaxy S6不用高通骁龙810芯片，转用自家芯片，高通再将今年主推的骁龙820转单至三星以十四纳米制程生产，因而再度拿下三星今年旗舰机种Galaxy S7订单，高通明年主推的骁龙830则持续由三星以十纳米制程生产。

由于高通的骁龙8系列手机芯片一向是三星、宏达电、华硕、小米、索尼（SONY）、ＬＧ等手机品牌厂最高阶旗舰机种的首选，就进度来看，骁龙830应该于第四季陆续向客户端送样，以便赶上明年第一波新机上市。

只不过，截至目前为止，取得高通骁龙830样品的手机客户端家数仍少，因此市场传出骁龙830进度可能延误。因为送样数量仍少，外界曝光的高通的骁龙830芯片资讯也不多，目前仅知搭配了4ＧＢ内存记忆体和高达64ＧＢ的ＵＦＳ快闪记忆体。

由于骁龙830是由三星以十纳米制程生产，在进度不顺的情况下，市场传出，高通可能会将后续订单转至台积电生产，比外界预期七纳米才会转回台积电的进度再早一点。

法人认为，若高通高阶旗舰芯片订单转回由台积电生产，将使得台积电明年新增一家重量级十纳米客户，有利于明年的营运动能。

　　宣布10nm量产，官方辟谣？

据韩国媒体报道，三星电子在今天宣布10纳米制程工艺芯片将正式投入量产。这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家。在公告中三星还提到，明年年初他们会正式发布一款10纳米制程工艺芯片，不过这款芯片的具体信息还未被提及。

力拼苹果！三星宣布10nm芯片投入量产

电子时报本月初的时候曾报道过，三星将是高通骁龙830芯片的独家代工商，这款芯片将会采用10纳米工艺制造。而明年三星推出的Galaxy S8，预计也将会搭载骁龙830芯片。

去年11月底的时候，三星在一次展会上率先曝光了自家研发的10nm工艺晶圆，这也是当时产业界首次秀出10nm工艺。这也表明三星在进度上将直接领先于像台积电这样的竞争对手或芯片巨头英特尔。未来三星很有希望成为世界首个使用10nm工艺生产芯片的厂商。

与此同时，苹果的下一代图形处理单元A10X有可能会上马台积电的10nm工艺制程（A9X、A10都是基于16nm FinFET +工艺制程），之前爆料大神郭明池曾暗示，A10之后的处理器将由台积电独家生产。从A10的架构设计看，A10X极有可能延续四核设计，其性能和功耗上将会比上代产品有一定提升。苹果iPhone 7 A10 Fusion处理器首次使用了四核心设计，而且是两大两小的混合架构体系。

台积电和Intel的10nm还有多久？

在今年七月举行的股东会议上，TSMC两大联席CEO刘德音、魏哲家及CFO何丽梅出席了会议，公布了TSMC公司Q2季度运营及技术发展情况，该公司调高了今年的资本支出到95-105亿美元，高于Intel公司的90-100亿美元，显示对未来发展的看好。

他们表示，其10nm工艺已经有三个客户完成流片，虽然没公布客户名称，但用得起10nm工艺的芯片也就是苹果A10、联发科X30（被海思、展讯刺激的联发科在X30上爆发了）以及海思新一代麒麟处理器，流片的估计就是这三家了。

TSMC表示今年底之前还会有更多客户的10nm芯片流片，该工艺将在2017年Q1季度量产。

而Intel也在今年8月份的的IDF大会上透露，他们将会提供“10nm技术的关键创新亮点”。

不过，Intel对其余内容含糊其辞，没有谈论任何10nm芯片晶体管密度和相关成本的技术细节。

当然了，每当谈及新的工艺，Intel总是会提到芯片晶体管的密度和面积比例，包括通过新的技术能够达到何种高度，以及晶体管本身的主要结构和材料改进等等。

其实在各项投资者会议上，Intel总是有意拿工艺来说事，不是14nm就是10nm，并且总是评估来自不同制造商的技术竞争力如何。

IDF大会上Intel可能也会再次谈论一番，并提供技术线路规划方案，毕竟目前Intel的最大竞争对手是台积电，此前已经计划在今年投产10nm技术，号称明年年初就能过渡到7nm制程。

相比之下，Intel今年已经宣布与10nm技术无缘了，只有等到明年下半年才会生产。与此同时，其7nm工艺的量产可能还要等到10nm亮相三年之后。

如此来看，Intel显然是“落后”了，但Intel肯定不赞同量产就最先进的说法，而是更多的涉及底层技术。

英特尔：7nm才是对战关键

半导体巨头间的先进制程竞赛持续，然而，昔日的老大哥英特尔在14 纳米推进晚了半年，打乱了原本摩尔定律每隔两年推出新制程的规律，10 纳米制程也几乎注定遭台积电超车，不过，英特尔财务长Stacy Smith 在本周摩根士丹利2016 年技术会议中强调，7 纳米才是技术变革的重要节点，并矢言届时英特尔将重回摩尔定律！

英特尔10 纳米确认延迟到2017 年下半，而台积电10 纳米制程进度估计2016 年第一季设计定案（tape out）、第三季量产，若如期依照制程规划推进，台积电将超车英特尔。

不过，英特尔可没有认输的意思，在年初摩根士丹利举办的技术会议（Morgan Stanley Technology, Media and Telecom Conference 2016 ）英特尔财务长Stacy Smith指出，虽然在14纳米与接下来的10纳米制程，研发速度都较摩尔定律延迟半年，但Stacy Smith强调，7纳米时技术将有重大突破，英特尔预期在7纳米重回摩尔定律两年的制程转换周期。

Stacy Smith透露，英特尔在14纳米使用多重曝光微影（multiple patterning）技术已遇到瓶颈，向下难以再缩小芯片线宽，外界认为英特尔在7纳米将采用极光微影技术（Extreme Ultraviolet， EUV），但是否在10纳米就提前用上，Stacy Smith仅低调表示目前没有规划。而英特尔也试图用氮化镓（Gallium Nitride）等新材料取代矽，使芯片有更好的导电与处理效果。

一直以来，英特尔不只为摩尔定律（Moore's Law）的提出者，同时也是遵循者，依循摩尔定律芯片上的晶体管数量每18 个月增加一倍，性能也随之提升一倍的速度发展，并衍伸出「Tick-Tock 」钟摆策略做为产品推出的圭臬，两年一循环，一年推出「Tick 滴」发表新制程产品，再一年为「Tock 答」 在Tick 的基础上做架构更新，然而，这样的公式，在14 纳米被打破。

英特尔延迟半年，才在2014 年9 月发表第一颗14 纳米Broadwell 产品，在2015 年基于14 纳米制程推出Skylake 架构处理器产品后，再来理应推出10 纳米产品，然而，英特尔CEO 科再奇（Brian Krzanich）在2015 年7 月电话会议中宣布，2017 年要推出第三款14 纳米处理器Kaby Lake，原定的10 纳米产品Cannolake 确定延至2017 年下半，台积电及三星则分别预期在2016 年第三与第四季量产10 纳米，英特尔几乎注定在10 纳米之战中败下阵来，7 纳米能否大反攻，重返昔日荣光，就待时间证明。