英特尔在全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。

“英特尔精尖制造日”活动近日举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。此外，英特尔还首次展示了五款晶圆。

“英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本。”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，“很高兴首次在中国与大家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展，展现了我们持续推动摩尔定律向前发展所获得的丰硕成果。”

英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭表示，此次活动着眼于快速发展的中国技术生态系统，重申英特尔与中国半导体产业共成长的承诺。据悉，英特尔在中国深耕32年，打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂，自2004年以来在华协议总投入达130亿美元。

英特尔高级院士马博介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节。英特尔10纳米工艺采用第三代 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，充分运用了多图案成形设计，并助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。在晶体管密度方面，英特尔10纳米制程工艺通过采用超微缩技术，在14纳米和10纳米制程节点上提升2.7倍晶体管密度，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米，尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，实现世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。据悉，英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品，以满足客户端、服务器以及其他各类市场的需求。

英特尔在全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。

22FFL晶圆在本次活动上全球首次公开亮相。22FFL是专门面向低功耗物联网和移动产品的FinFET技术，它基于英特尔近年22纳米/14纳米制程的生产经验，带来性能、功耗、密度和易于设计等优势。与先前的22GP（通用）制程相比，全新22FFL制程的漏电量最多可减少100倍。22FFL制程工艺可提供与14纳米制程晶体管相媲美的驱动电流，同时实现比业界28纳米制程更高的面积微缩。英特尔22FFL可带来一流的CPU性能，实现超过2GHz的主频以及漏电降低100倍以上的超低功耗。

在本次活动上，英特尔公布了采用英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工平台的下一代FPGA计划。研发代号为“Falcon Mesa”的FPGA产品将带来全新水平的性能，以支持数据中心、企业级和网络环境中日益增长的带宽需求。

此前，英特尔晶圆代工宣布与Arm达成协议，双方将加速基于英特尔10纳米制程的Arm系统芯片开发和应用。作为这一合作的结晶，“英特尔精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU内核的10纳米测试芯片晶圆。这款芯片采用行业标准设计流程，可实现超过3GHz的性能。

英特尔还宣布了业内首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3D NAND固态盘产品已正式出货。该产品自2017年8月初便开始向部分顶级云服务提供商发货，旨在帮助客户大幅提升存储效率。在存储领域30年的专业积淀，使得英特尔可以推出优化的3D NAND浮栅架构和制造工艺。英特尔的制程领先性，使其能够快速把2017年6月推出的64层TLC固态盘产品组合，迅速从客户端产品扩展到今天的数据中心固态盘产品。