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IBM发表新型绝缘体 助力先进制程芯片良率
IBM打算在14纳米制程节点(已经于GlobalFoundries生产)导入SiBCN绝缘体，而SiOCN将在7纳米节点采用；Stathis透露，IBM期望可在5纳米节点使用终极绝缘体──气隙(air gap)。其方法能在新一代晶圆制程被批准之前，实现优化的预筛选与测试顺序。
IBM 绝缘体 SiBCN
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