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三星在近日的财报中表示今年第四季度NAND闪存供应仍然十分地紧张，目前三星正把闪存产能大量投放于LPDDR4X以及VNAND等高端产品线
三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片： 传输速度达1Gbps
三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展？
三星公司已经开始量产其48层（即单NAND内48层单元，属于第三代升级技术）3D V-NAND芯片，预计其将被用于SSD T3（mSATA接口加850 EVO V2）、NVMe SSD（PM971-NVMe）以及企业级SSD（PM1633a）等SSD产品。
在三星推出这款256GB MicroSD储存卡之前，市场上仅仅只有闪迪推出了200GB以上产品。三星表示，这款256GB MicroSD储存卡采用了V-Nand技术打造，最快可以实现95MB s的持续读取与90MB s的持续写入速度。
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