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据了解，Sc－Sb－Te相变存储材料的重大发现来自于上海微系统所科研团队在相变存储器方面的长期科研工作积累。
北海道大学的研究人员认为，如果存储材料可以磁性和非磁性状态之间来回迅速切换，将有可能为现有0 1形式存储的数据添加A B磁存储形式。
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