美光起诉晋华，对中国存储器的专利战开始了？

像紫光集团等中国记忆体新贵在与三星、海力士和美光等记忆体三巨头真正于市场上较量之前，很可能得先在法庭上打一场专利诉讼战…McClean说：“我认为中国记忆体企业将来会在市场上站稳脚跟，但其过程可能类似晶圆代工产业曾经发生的事情。

三星公布64层NAND 芯片容量512Gb

而三星特有的快闪记忆体制程技术，电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash；CTF)，是以电荷撷取(Charge Trap)膜或电洞捕捉作为载子的电子，借此记录或消去资料

三星公布64层NAND 芯片容量512Gb

而三星特有的快闪记忆体制程技术，电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash；CTF)，是以电荷撷取(Charge Trap)膜或电洞捕捉作为载子的电子，借此记录或消去资料。

瑞萨成功开发鳍状MONOS快闪存储器单元

瑞萨电子(Renesas)宣布成功开发首创采用鳍状电晶体的分离闸金属氧氮氧矽快闪记忆体(SG-MONOS)单元，适用于电路线宽仅16至14奈米(nm)或更精细的微控制器(MCU)制程

大陆存储器产业崛起将改变全球产业版图 韩厂备感威胁

预料大陆记忆体市场当前发展的4大主力，将由长江存储（负责3D NAND Flash、DRAM生产）、武汉新芯（负责NOR Flash、逻辑代工）担纲重任，而福建晋华存储器项目、合肥市存储器项目也将有所发挥。

存储器价格上扬 芯片产业前景微露曙光

又有一家市场研究机构调升了对2016与2017年半导体产业成长率的预测──International Business Strategies (IBS)现在认为2016年晶片产业成长率为0 2%，2017年则为4 6%。

第三季DRAM合约价上涨趋势确立

经过近两年的续跌，6月DRAM合约价已呈现持平；预估第三季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约4~8%。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示

南韩存储器产业Q1占全球比重降破6成

由于主要终端装置需求不佳，加上记忆体价格持续下滑，2016年第1季南韩记忆体产值降破11 5兆韩元，较前季及2015年同期分别减少9%、11 5%。