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美光科技于今日发表了一篇有关量产GDDR5X芯片的早期报告，并欣喜地表示晶圆方面的进展早于预期，因为这部分有效硅晶片的速率已达到13GB s（高端GDDR5X规格在10到14Gb s之间），有些令人难以置信。
DDR5 的低功耗表现对移动设备来说也相当有吸引力，比如三星最新的 Galaxy S8 智能机就还在用 LPDDR4 内存。芯片和主板制造商们肯定乐于内存新标准的推出，毕竟这会创造新的赢利点，相信该过程会在标准正式发布一年后逐步推进。
首个DDR4-2666 RDIMM内存问世：瞄准Intel下一代平台
一直致力于工业级存储设备研发的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服务器内存产品，主要适配即将于2017年发布的Intel Purley平台。InnoDisk DDR4-2666 RDIMM服务器内存工作电压为1 2V
正常使用，处理器和内存对于速度的影响最大，为了尽可能的控制成本，将内存缩水，又是最简单直接粗暴的方法。升级之前还需要考虑的一个问题是，电脑是否还有空余的内存插槽，每个插槽可以支持多大容量的内存，电脑使用的是哪种规格的内存等。
随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存（HBM2）
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