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三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存
在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高
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