三星苹果双快充 公牛无线充电器体验

2018年，无线充电成为了诸多旗舰智能手机的标配，随着玻璃背板＋金属边框元素的流行，可以预见，未来将有越来越多的智能手机支持无线充电技术。

中国电源芯片创新打动美国高通 实现3口同时快充

今日，国内知名电源芯片企业英集芯公司CEO通过朋友圈透露：IP5328通过高通QC3 0认证，市面上唯一支持3口盲插QC快充

新发现：有望实现钠离子电池高容量与快充兼得

合肥工业大学18日消息，该校科研人员成功制备一种新型碳负极材料，该材料有望实现钠离子电池的高容量与快充的两者兼得。

东芝研发新型快充电池：充电6分钟，行驶320公里

东芝公司企业研发中心主任Osamu Hori表示：“我们对新的钛铌氧化物阳极材料和下一代SCiB的潜力感到非常兴奋。”　

锂电池快充技术还未真正突破

一般快充的定义为在短时间内可以给电池充入大量电能，而对具体充电时间和电池荷电状态没有统一的规定。欧姆定律告诉我们：电压=电阻*电流，即电压一定时，电阻和电流成反比；电阻一定时：电压和电流成正比。

狂热之下被遗忘的指标—快充倍率

2015—2016年中国锂动力电池消费结构　　在市场需求不断扩大的趋势下，实现电动公交车高续航里程以及快速充电性能日益迫切。

10nm工艺骁龙835首现身 同时支持最新快充4.0

17日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级处理器骁龙835，据称835将采用三星最先进的10nm制造工艺。由于采用全新的10纳米制程工艺，高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

谷歌或在未来安卓版本中禁用高通联发科等快充技术

据美国知名科技网Android central11月8日报道，谷歌公布新版安卓兼容性定义文件，针对快充问题警告手机制造商尽量不要使用非标准USB充电

高通要搞大新闻!10nm工艺骁龙835首现身,同时支持最新快充4.0

17日，高通公司宣布将与三星电子合作开发下一代旗舰级移动处理器骁龙835，据称835要采用三星最先进的10nm制造工艺。由于采用全新的10纳米制程工艺，高通方面表示骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

最大功率28W，高通新一代快充技术QC4.0曝光

10月9日消息，目前高通Quick Charge快充技术已经发展至第三代，有5V2 5A、9V2A、12V1 5A三种主要方案，最大输出功率为18W。