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集英特尔傲腾技术和英特尔QLC NAND技术为一体的固态盘全新上市
英特尔今日公布了英特尔®傲腾™混合式固态盘的详细信息，这款创新的设备采用M 2规格，体积小巧，将英特尔傲腾技术的卓越响应速度与英特尔® Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技术的强大存储容量融为一体。
SK海力士昨日宣布推出全球首款基于TLC(三级单元)阵列的96层512Gb CTF(电荷储存式快闪存储器)4D NAND闪存，采用3D CTF设计与PUC(Peri Under Cell)技术，并将在今年年底于近期完工的清州工厂M15进行量产。
盛会“快闪存储器高峰会”(FlashMemorySummit)正式公布64层3DNAND芯片专利，向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力，并追上主流产品脚步，相关产品预计明年量产，加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
据外媒报道，英特尔和镁光宣布，它们不再合作开发下一代3D NAND内存。” 对于行业观察家来说，这两家公司分道扬镳并不令人感到惊讶，因为英特尔和镁光近些年均建立了各自的生产厂。
除了NVMe以外，以DIMM为基础的NAND Flash存储器汇流排装置，以及其他非挥发性固态储存技术，也将在企业储存市场发挥相当大的影响力。
据 AnandTech 报道，英特尔（Intel）与镁光（Micron）之间维持了很长一段时间的 NAND 闪存开发与制造合作，将很快迎来终结 —— 两家公司将在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之后分道扬镳。
TrendForce：2018年NAND Flash价格有望缩减10%-20%
TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NAND Flash价格有机会走跌，下半年需求回升，可能再次供不应求，预估2018年NAND Flash ASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
随着全球信息化浪潮的不断涌起，智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。从国内存储器厂商的发展情况来看，主要面临的机遇有以下四点： 其一，全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势；
韩媒BusinessKorea 5日报导(见此)，IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39 6%、至2,441亿GB。在此之前，另一韩媒也说，三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM，但是警告此举也许会让DRAM供过于求。
三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩
IC Insights预估，今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元，将成长35%;其中，三星今年资本支出将倍增至260亿美元，比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。在晶圆代工方面，IC Insights表示，三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能。
TrendForce调查指出，手机和服务器供需缺口扩大，第3季NAND Flash品牌商营收季增14 3%，但到明年上半年产业将进入淡季循环，市场局势将转为供过于求。
Q3 NAND Flash厂营收季增14.3% 2018年后市场转为供过于求
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，受传统旺季、智能手机、服务器及数据中心对SSD需求拉升等因素影响
西部数据的收入和利润在2018财年第一季度都有所增长，但对东芝谈判的失败可能会在法庭上败诉，影响对96层3D NAND业务
观存储器产业：DRAM报价仍有上涨空间 NAND持续稳定成长
尤其到了第3季旺季，存储器需求更是热络，报价持续走扬，预期2017年对于存储器产业来说将是丰收的1年，受惠智能手机存储器容量升级，服务器 数据中心的强劲需求
展望明年营运，上半年产业淡季使NAND Flash价格上涨不易，不过由于3D产能开出，NAND Flash货源转为充足下，估明年营收可维持成长。 法人预期，第三季在客户转观望下，预营收较前季仅个位数季增，而第四季逐渐步入淡季，营收将较前季往下。
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