非易失存储器关键字列表
（一）制造业发展进入快车道，产业营收高速增长。（二）制造工艺不断提升，产能持续扩张。推动设计企业、制造企业、封测企业间的合作，加快先进制造工艺和先进封装工艺的研发突破和规模商用，摆脱“两头在外”的困扰。
根据OTS器件的物理特性和三维交叉堆叠阵列结构的特点，三维交叉堆叠型相变存储器采用一种V 2偏置方法以实现存储单元的操作。 论文提出的读出电路还可适用于其它三维交叉堆叠型非易失存储器。
虽然阻变存储器和相变存储器等其他类型的存储器也都有其支持者，但这些存储器都存在着微缩的问题，难以因应28nmCMOS制程的要求。
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。理解了导电通路形成和破灭是阻变行为的根本原因，自然而然的，就想到如何控制导电通路的形成和破灭的过程，这对器件性能的改善至关重要。
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