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物理气相沉积法关键字列表
第三代半导体：“虚拟生长”引发充电革命
”晶体材料国家重点实验室教授陈秀芳带领的课题组有一项重要任务——通过物理气相沉积法生长出高质量、大尺寸的SiC单晶材料。项目负责人、浙江大学教授盛况介绍，项目以应用需求为牵引，将实现材料—芯片—模块—充电设备—示范应用的全产业链创新。
SiC 半导体 物理气相沉积法
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