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20年难有进步 DRAM延迟问题终于得到优化
DRAM的延迟正在变高，因为随着芯片密度的增加，需要更新更多的队列，32Gb的芯片上可能降低将近20%的性能。Chang提出了两种机制，即通过对bank和子阵列的内存访问进行并行刷新来隐藏刷新延迟。
per-bank 内存控制器 单元格
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