Crossbar：ReRAM技术有望颠覆目前的存储模式，破解人工智能时代的大数据处理

以前阻碍人工智能发展的主要因素是CPU的处理能力，随着数据的爆发式增长，传统的存储解决方案不仅无法满足高速计算的需求，而且难以负担得起数据长期保留产生的费用，这促使很多企业开始寻求新的存储解决方案。

ReRAM突然就火了，准备好了吗？

电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。 这些内存技术的问题在于它们依赖于异乎寻常的材料和复杂的开关机制，所以下一代内存类型需要更长的开发时间。

实现物联网的关键 ReRAM的现状及未来解读

现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网设备能源消耗的办法，为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM)，有助达成此一节能目标。

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

Crossbar是目前竞相投入开发非挥发性内存（NVM）技术的多家公司之一；NVM技术可望用于取代闪存，并可微缩至28nm以及更先进工艺。

比NAND快一千倍：中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片

以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。

新希望？中芯国际40nm ReRAM芯片出样

目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片

群雄逐鹿ReRAM 中芯国际出样意义有多大？

作为中国本土半导体制造的龙头企业，中芯国际（SMIC）的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。应用ReRAM这样新的存储技术，能够发挥人工智能真实的潜能，实现速度、低功耗 高能效、存储容量与可制造性的完美结合。

准备进入ReRAM速度！Crossbar发布SMIC芯片样品

ReRAM初创企业Crossbar公司已经发布了一款来自SMIC的嵌入式ReRAM芯片样品，且其目前正在接受评估。Crossbar公司将其技术授权至代工厂商，同时亦在与多位潜在合作伙伴探讨推出不同ReRAM内存式芯片的具体方案。

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

2016年11月8日，富士通电子元器件（上海）有限公司宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）产品MB85AS4MT。

MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD 下一代存储器混战何时休？

在数据中心和一些相关的环境中，高端系统正在努力跟上数据处理需求日益增长的步伐。在这些系统中存在若干个瓶颈，会影响系统数据处理能力，其中有一个持续受到过度关注的因素，即存储器和存储器层级。