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容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

责任编辑:editor007 作者:孙斌 |来源:企业网D1Net  2016-08-31 17:24:48 本文摘自:ZDNet至顶网

每天五次全盘写入,使用寿命可达五年?这可真是了不起的成就。

 

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

三星 PM1725a AIC驱动器

三星公司已经展示了其怪兽级百万IOPS SSD产品,其最高容量可达6.4 TB,而最大读取数据速度则为每秒6.4 Gb。

NVMe PCIe为目前速度最快的SSD接口,SAS与SATA则在悬殊的性能对比之下被迅速淘汰。Fusion-io公布的各项早期承诺如今也在3D NAND PCIe闪存驱动器上得以实现。

这款PM1725a同时配备2.5英寸双端口NVMe 1.2与PCIe HHHL NVMe形式,其中2.5英寸产品为双端口且提供一个第三代四通道PCIe接口(每秒32 Gb)。

而半高、半长(简称HHHL)接入卡版本则拥有一套八通道第三代PCIe接口,其数据交付能力达到每秒64 Gb。

两款驱动器皆由三星公司的第三代V-NAND 48层TLC(即三层单元)闪存构建而成。其读取/写入延迟分别为90/20纳秒。三星公司同时指出,其服务质量承诺延迟为读取95纳秒,写入则为60纳秒。使用寿命达在每天五次全盘写入的情况下可正常运行五年,这使得该系列驱动器成为极具性价比的企业数据中心服务器存储解决方案——当然,前提是大家负担得起其价格。

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

三星PM1725a

下面来看性能数据:

· 2.5英寸(双端口)

o 随机读取/写入IOPS——80万/16万。

o 连续读取/写入传输带宽——3.3/2.9 GB每秒

· HHHL PCIe AIC (接入卡)

o 随机读取/写入IOPS——105万/16万

o 连续读取/写入传输带宽——6.4/2.9 GB每秒

NVMe为1.2级。三星EPIC控制器将被用于其中,同时亦配备有基于电容的供电故障保护机制。该系列驱动器拥有200万小时无故障运行率。

这款产品采用三星第三代V-NAND,为48层结构与单晶片256 Gbit。根据我们了解到的情况,第四代64层V-NAND将采用512 Gbit晶片,其能够实现容量翻倍并计划于明年推出。

采用PM1725a驱动器的服务器无疑将迎来显著的性能提升,而磁盘与基于磁盘的SATA及SAS接口则将逐渐在高性能服务器领域被淘汰出局。

关键字:PCIeIOPS

本文摘自:ZDNet至顶网

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容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

责任编辑:editor007 作者:孙斌 |来源:企业网D1Net  2016-08-31 17:24:48 本文摘自:ZDNet至顶网

每天五次全盘写入,使用寿命可达五年?这可真是了不起的成就。

 

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

三星 PM1725a AIC驱动器

三星公司已经展示了其怪兽级百万IOPS SSD产品,其最高容量可达6.4 TB,而最大读取数据速度则为每秒6.4 Gb。

NVMe PCIe为目前速度最快的SSD接口,SAS与SATA则在悬殊的性能对比之下被迅速淘汰。Fusion-io公布的各项早期承诺如今也在3D NAND PCIe闪存驱动器上得以实现。

这款PM1725a同时配备2.5英寸双端口NVMe 1.2与PCIe HHHL NVMe形式,其中2.5英寸产品为双端口且提供一个第三代四通道PCIe接口(每秒32 Gb)。

而半高、半长(简称HHHL)接入卡版本则拥有一套八通道第三代PCIe接口,其数据交付能力达到每秒64 Gb。

两款驱动器皆由三星公司的第三代V-NAND 48层TLC(即三层单元)闪存构建而成。其读取/写入延迟分别为90/20纳秒。三星公司同时指出,其服务质量承诺延迟为读取95纳秒,写入则为60纳秒。使用寿命达在每天五次全盘写入的情况下可正常运行五年,这使得该系列驱动器成为极具性价比的企业数据中心服务器存储解决方案——当然,前提是大家负担得起其价格。

容量6.4TB、每秒64Gb 三星打造百万IOPS级SSD

三星PM1725a

下面来看性能数据:

· 2.5英寸(双端口)

o 随机读取/写入IOPS——80万/16万。

o 连续读取/写入传输带宽——3.3/2.9 GB每秒

· HHHL PCIe AIC (接入卡)

o 随机读取/写入IOPS——105万/16万

o 连续读取/写入传输带宽——6.4/2.9 GB每秒

NVMe为1.2级。三星EPIC控制器将被用于其中,同时亦配备有基于电容的供电故障保护机制。该系列驱动器拥有200万小时无故障运行率。

这款产品采用三星第三代V-NAND,为48层结构与单晶片256 Gbit。根据我们了解到的情况,第四代64层V-NAND将采用512 Gbit晶片,其能够实现容量翻倍并计划于明年推出。

采用PM1725a驱动器的服务器无疑将迎来显著的性能提升,而磁盘与基于磁盘的SATA及SAS接口则将逐渐在高性能服务器领域被淘汰出局。

关键字:PCIeIOPS

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