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日本东芝之前已经签约，将闪存芯片业务以180亿美元转让给美国贝恩资本领衔的财团，目前交易手续尚未完成。据日本时报网站报道，12月21日，东芝宣布将投资70亿日元（相当于6200万美元），在日本岩手县购买土地，为后续建设闪存工厂做准备。
日本东芝之前已经签约，将闪存芯片业务以180亿美元转让给美国贝恩资本领衔的财团，目前交易手续尚未完成。据日本时报网站报道，12月21日，东芝宣布将投资70亿日元（相当于6200万美元），在日本岩手县购买土地，为后续建设闪存工厂做准备。
紫光集团董事长赵伟国今日在第四届世界互联网大会表示，近年来，紫光集团把企业发展的重点聚焦在了集成电路上。在移动领域，紫光现在每年向全球提供的手机芯片超过7亿部套片；
10月24日消息，据国外媒体报道，东芝股东大会已批准出售闪存芯片业务子公司，将其以2万亿日元的价格出售给贝恩资本牵头的财团。美国私募股权公司贝恩资本牵头的竞购财团，包括苹果公司、戴尔公司、希捷科技、金士顿公司和韩国芯片制造商海力士。
东芝在本月与贝恩资本达成协议，前者以172亿美元的价格将旗下芯片业务出售给后者。这项交易遭到了合作伙伴西数的反对，西数已经向国际总裁法院申请禁令，称东芝出售芯片业务需征得其同意。
据《财富》北京时间9月29日报道，不具名知情人士透露，贝恩资本（以下简称“贝恩”）计划在完成2万亿日元（180亿美元）收购东芝闪存业务部门2、3年后，让该业务部门上市。
自东芝决定出售旗下闪存芯片业务之后，行业就一直非常关注最终到底会花落谁家。新闻配图：东芝企业级 SSD（via Toshiba） 如今看来，在这场充满变数的东芝芯片转让交易中，富士康可能已经失去了机会。
9月7日消息，据国外媒体报道，消息人士透露富士康出价超过184亿美元竞购东芝闪存芯片业务，而东芝董事会的部分成员也倾向于接受富士康的高报价
摘要：闪存芯片推动了存储革命，并且由于需求量巨大而面临最近短缺的局面。对于48个单元层的堆栈，垂直堆叠的允许公差约为1度，并且随着层数的增加而变差。
由于财务状况恶化，日本东芝公司已经被东京股票交易所从主板摘牌，距离退市已经越来越近，但是时至今日，转让闪存芯片业务的进展却并不顺利。据英国金融时报报道，由于东芝高管在闪存芯片交易中表现出领导无方，日本政府已经全面涉足。
由于财务状况恶化，日本东芝公司已经被东京股票交易所从主板摘牌，距离退市已经越来越近，但是时至今日，转让闪存芯片业务的进展却并不顺利。
伴随着Flash原厂扩大3D NAND量产规模，大数据和核心应用继续快速增长，相信2017年是存储产业整体快速增长的一年。而在设备方面，长江存储方面表示
8月3日消息，据国外媒体报道，在出售闪存芯片业务方面饱受合作伙伴困扰的东芝，已决定撇开西部数据，自主投资17 6亿美元建设闪存芯片生产线。饱尝西部数据阻挠之苦的东芝，目前也已准备撇开西部数据，自主建设闪存芯片生产线。
三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片： 传输速度达1Gbps
三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
由于美国核电业务减记带来了巨大的亏损，东芝目前面临资不抵债的困境，急需资金，东芝因此决定剥离闪存芯片业务并将其出售以换取资金。目前共有富士康、美国芯片制造商博通、贝恩资本牵头的三大财团参与东芝闪存芯片业务的竞购。
6月27日消息，据国外媒体报道，东芝目前已选定日本政府牵头组建、贝恩资本等参与的竞购团作为闪存芯片业务的优先竞购方，但东芝的合作伙伴西部数据对此表示反对，不同意东芝将闪存芯片业务卖给这一选定的优先竞购方。
日本一批电子企业，包括富士通、东芝、松下、索尼、夏普等，上世纪90年代表现很活跃。东芝是日本一家具有百年历史的老牌电子企业，曾经在全球产业链中处于重要位置。而卖掉闪存业务之后的东芝，还能靠什么核心业务充实经营业绩，这才是最令外界担忧的。
东芝的闪存芯片业务要分拆出售了，目前包括苹果在内的各大科技公司都对东芝的闪存芯片业务感兴趣，纷纷出价竞购。从收购意义来看，东芝闪存业务持有很多苹果感兴趣的技术，而且当前闪存格局单一，闪存产品不断涨价。
PC明星产品固态硬盘的发展速度依然激进，SK海力士今天宣布，已经成功研发出72层堆叠、单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片。于是，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M 2 SSD，且成本更低。
海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1 5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
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