英特尔展示10纳米制程最新进展

英特尔在全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。

Intel 64层闪存率先商用10nm：晶体管密度暴增2.7倍

Intel这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议，而为了证明自己的技术先进性，Intel日前在北京公开展示了10nm工艺的CPU处理器、FPGA芯片，并宣称同样是10nm，自己要比对手领先一代，还透露了未来7nm、5nm、3nm工艺规划。

英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

之前，芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“尖端制造大会”上，正式向大家展示了藉由最新的10纳米制程技术所生产的晶圆，并且表示由10纳米制程技术所生产的CannonLake处理器将会在2017年年底之前开始量产。

IBM试产5nm芯片：指甲盖大小可容纳300亿晶体管

当前商用晶体管栅极大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已开始了 7nm、甚至 5nm 工艺的研究。与当前 10nm 芯片相比，5nm 原型芯片在额定功率下的性能可提升 40%，或在匹配性能下降低高达 75% 的能耗。

IBM/三星/格罗方德共同研发5nm芯片，商业化还要多久？

相较于市场上的10纳米技术，5纳米制程可在相同的耗电下提高40%的效能，或是在相同效能下减少75%的耗电，对于节能或仰赖更高运算的人工智能

三星砸巨资巩固芯片工艺优势 为7nm工艺准备

三星集团日前宣布将投资8 5万亿韩元(69 8亿美元)扩充现有10nm工艺产能，并为明年的7nm准备基础建设。2月的MWC展会上，LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器

中国突破半导体新工艺 先要从这位美籍华人讲起

而在工艺上，国内晶圆代工厂也是落后于Intel、台积电、格罗方德、三星等国际大厂的。举例来说，某自主CPU公司采用了某境内代工厂的40nm LL工艺，然后由于工艺性能有限，境内代工厂的40nm LL工艺比意法半导体的65nm GP工艺还慢30%……

物联网商机惊人 SoC大厂跨界淘金

移动设备发展缓慢，让SoC大厂联发科和高通寻找更好的增长市场，物联网和汽车电子成为他们的下一个目标。该公司与Google共同拓展Android生态系统

台积电10nm工艺只等于英特尔12nm，晶圆代工水很深

刚结束的台积电第二季新闻发布会，困扰业界、媒体多时的半导体工艺“魔术数字”问题，首度公开。“过去英特尔对台积电有较大的技术领先，”高通首席营运官戴瑞克说，“我们认为这些差距正在缩小，而且还会持续缩小。

台积电与安谋拚制程,料续夺苹果新世代处理器订单

台积电与全球矽智材（IP）厂安谋（ARM）19 日共同宣布，完成首款采用台积电 10 纳米 FinFET（鳍式场效电晶体）制程生产的多核心 64 位 ARM 架构处理器测试芯片。