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英特尔10nm芯片明年上市,可能后发先至,反超台积电三星

责任编辑:zsheng |来源:企业网D1Net  2018-12-20 20:12:43 本文摘自:甲子光年

12月12日,英特尔在其“架构日”(Architecture Day)活动上公布了10nm芯片有望明年上市。

此前,英特尔在10nm工艺制程上遇到巨大困难,以至于2015年发布Skylake架构芯片以来,英特尔一直在14nm上小修小补,甚至英特尔可能放弃10nm计划。

而此次,英特尔终于宣布将推出下一代Sunny Cove架构——一种在Skylake基础上改进、基于10nm工艺构建的增强型微架构。相比Skylake架构,Sunny Cove架构可并行执行更多指令,延迟更低、缓存更大。基于新架构的酷睿与至强芯片将于2019年下半年上市。

但英特尔推出的并非完全是10nm芯片,而是通过Foveros技术将不同性能、不同部分封装在一起,仅高性能部分使用的是10nm工艺制程。

虽然台积电、三星此前已陆续推出10nm甚至7nm制程,似乎英特尔被甩在了身后;但实际上,台积电、三星采用极紫外光刻机(EUV)走了捷径,而英特尔选择了继续采用ArF DUV,原因可能是EUV实际上并未成熟,光源问题直到2017年才得到解决,而10nm的研发至少从2016年就开始了。

而且,英特尔的10nm晶体管密度就已达到1.008亿每平方毫米,而台积电的10nm只有4810万每平方毫米,明年上市的7nm才能上亿。

对于英特尔来说,虽然失去了时间上的一些先机,但突破了技术难点,之后7nm、5nm甚至3nm都可以沿用;但台积电和三星绕过去的问题,可能在未来某一天被反噬——例如,三星把新工艺称为8nm而不是期望中的7nm,可能多少遇到了问题。

关键字:台积电 三星 上市 芯片

本文摘自:甲子光年

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